HYB5116400BJ-60 Infineon

Online Anfrage

HYB5116400BJ-60 Infineon
Ilość
6000
Producent
Infineon
Data produkcji
97+
Opis
DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 4k, SOJ

Hotline dla zainteresowanych daną ofertą
Tel.: Tel. 0721 15108-0

Weitere Bauteile

Oznaczenie Producent Data produkcji Opis
K4F151611D-JC60 Samsung 00+ DRAM 1Mx16-60, FPM, 5V, 1k, SOJ
HM5117800LTT-6 Hitachi 99+ DRAM 2Mx8-60ns, FPM, 5V, TSOP 400mil, LP, SR
KM48C2100CS-6 Samsung 99+ DRAM 2Mx8-60ns, FPM, 5V, TSOP 300mil
HY5117800BT-60 Hyundai 96+ DRAM 2Mx8-60ns, FPM, 5V, TSOP 300mil
HM5116400TS-6 Hitachi 01+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 4k, TSOP
MT4C4M4A1DJ-6 Micron 99+/00+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 4k, SOJ
M5M417400DJ-60 Mitsub 00+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 2k, SOJ
MT4C4M4B1DJ-6 Micron 00+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 2k, SOJ
TMS417400A-60DJ TI 98+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 2k, SOJ
GM71C17400CT-6 Hynix 01+ DRAM 4Mx4-60, FPM, 5V, 2k, TSOP