2N5680
Online Anfrage

2N5680
- Ilość
- 305
- Producent
- Data produkcji
- Opis
- Transistor pnp 120 V 1.0 A 1.0 W TO39
Technical Specification 2N5680
Polarity | PNP, P-Channel |
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] | 120 V |
Power Dissipation | 1.00 W |
RoHS | Compliant |
Mounting Style | Through Hole |
Case/Package | TO-39 |
Number of Pins | 3 |
Hotline dla zainteresowanych daną ofertą
Tel.:
Tel. 0721 15108-0
Weitere Bauteile
Oznaczenie | Producent | Data produkcji | Opis |
---|---|---|---|
2N5415 | Transistor pnp 200 V 1.0 A 1.0 W TO39 | ||
2N5416 | Transistor pnp 300 V 1.0 A 1.0 W TO39 | ||
2N5461 | Transistor P-FET 40 V IDSS> 2 mA TO92 | ||
2N5494 | Transistor npn 60 V 6.5 A 50 W TO220 | ||
2N5551 | Transistor npn 180 V 600 mA 600 mW TO92 | ||
2N5878 | Transistor npn 80 V 10 A 150 W TO3 | ||
2N5886 | Transistor npn 80 V 25 A 200 W TO3 | ||
2N6050 | Transistor pnp 60 V 12 A 150 W TO3 | ||
2N6051 | Transistor pnp 80 V 12 A 150 W TO3 | ||
2N6053 | Transistor pnp 60 V 8.0 A 100 W TO3 |