IRF840

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IRF840
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2
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Transistor N-MOSFET 500 V 8.0 A 125 W TO220
IRF840
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66
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IRF840
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29
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IRF840
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3
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Technische Spezifikation IRF840

Polarity N-Channel
Voltage Rating (DC) 500 V
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A
Breakdown Voltage (Drain to Source) 500 V (min)
Drain to Source Voltage (Vds) 500 V
Current Rating 8.00 A
Lead-Free Status Contains Lead
Mounting Style Through Hole
Packaging Tube
Rise Time 23.0 ns
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 850 mΩ
RoHS Compliant
Power Dissipation 125 W

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