STP6NA60

Online Anfrage

STP6NA60
Ilość
2
Producent
Data produkcji
Opis

Technical Specification STP6NA60

Polarity N-Channel
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V
Continuous Drain Current (Ids) 6.50 A
RoHS Non-Compliant
Breakdown Voltage (Drain to Source) 600 V
Case/Package TO-220
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.20 Ω
Lifecycle Status
Power Dissipation 125 W

Hotline dla zainteresowanych daną ofertą
Tel.: Tel. 0721 15108-0

Weitere Bauteile

Oznaczenie Producent Data produkcji Opis
BU2515DX Orig. Sony
ZTX653 Transistor
L6565
2SC4834NP-F09 Orig. Sony
BUY69
DTC124EAK SMD
BUZ72A Transistor
TLP721
2SK725
BUZ72AF Transistor