IRF820
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IRF820
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- 11
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- Descrizione
- Transistor N-MOSFET 500 V 2.5 A 50 W TO220
IRF820
- Quantità
- 50
- Produttore
- Codice data
- Descrizione
IRF820
- Quantità
- 17
- Produttore
- Codice data
- Descrizione
Technical Specification IRF820
| Polarity | N-Channel |
| Voltage Rating (DC) | 500 V |
| Continuous Drain Current (Ids) | 2.50 A |
| Breakdown Voltage (Drain to Source) | 500 V (min) |
| Drain to Source Voltage (Vds) | 500 V |
| Current Rating | 2.50 A |
| Lead-Free Status | Contains Lead |
| Mounting Style | Through Hole |
| Rise Time | 8.60 ns |
| Drain to Source Resistance (on) (Rds) | 3.00 Ω (max) |
| RoHS | Non-Compliant |
| Power Dissipation | 50.0 W |
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